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  • 单晶硅长晶炉控制特色【2022年09月03日】

    本控制系统以国际先进单晶炉控制核心技术为基础,融入单晶炉使用厂家多年的使用经验,设计、开发出的一套全新的更可靠、更安全实用的单晶生长炉。 1、采用高分辨率双CCD直径控制系统(200万像素以上),使单晶直径控制精度达到0.1mm以内; 2、高精度、高稳定的炉压控制系统,采用三只不同量程的压力真空...
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  • 单晶硅长晶炉系统安全措施【2022年09月03日】

    单晶生长炉 1、流量开关---如果低流量切断加热器开关激活(30秒) 2、热敏开关(11处)--警报 3、炉内高/低压力,包括真空泵不起作用了—警报 4、籽晶提升行程上下限位—切断马达 5、坩埚提升行程上下限位—切断马达 6、生长炉内过压保护—机械泄压(三个位置:真空管道、副真空管道、底板上腔...
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  • 单晶硅长晶炉技术标准【2022年09月03日】

    1、CCD控制,测量方法:测量精度达到0.1mm,单晶头尾直径偏差在1mm以内,完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等规格的单晶 2、真空计采用分量程薄膜真空计(0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr),使压力测量精度更高,测量真空值不...
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